SNAP12 并行光收发一体模块 FTSP-12TR8525G-02I
一、产品描述
FTSP-12TR8525G-02I是光接口、电接口均可插拔的12路并行光收发一体模块,通道速率可达25.78125Gbps,主要应用于甚短距离多通道光互联通信。模块工作中心波长为850nm,每个通道提供25.78125Gbps传输速率,使用OM3光纤传输距离可达70m,光接口使用MPO接头,电气接口使用10×10 MEG-Array,采用SNAP12封装形式,封装尺寸为49.4×17×12mm,工作温度范围-40℃~+85℃(高温壳温)。
本产品可广泛应用于背板互联、雷达与处理机互联、并行光互联、服务器与存储器阵列互联。
本光模块MPO光接口采用斜8角度(APC)研磨,提高对插机械寿命。要求同其对接的MT/MPO光口采用同样制作工艺。

图1 FTSP-12TR8525G-02I系列型号外观示意图
二、产品特性
- 12路并行多模850nm光发射,12路并行多模850nm光接收
- 单通道速率达25.78125Gbps
- 传输距离可达70m
- MPO/APC接口、10×10 MEG-Array电连接器
- SNAP12光、电接口均可拔插形式
- 封装尺寸49.4mm×17mm×12mm
- 工作环境温度-40℃~85℃(高温壳温)
三、产品订购信息
| 产品型号 | 封装形式 | 光、电接口 | 单路传输速率 | 工作温度 | 传输距离 | 工作波长 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FTSP-12TR8525G-02I | SNAP12封装 | MPO/APC、24芯、100pin电连接器 | 25.78125Gbps | -40℃~85℃ | 70m | 850nm |
其它特定要求可定制,咨询技术人员或业务经理
四、产品性能指标
4.1 绝对最大额定值
| 参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 供电电压 | Vcc | 0 | 3.6 | V | |
| 存储温度 | Tstg | -55 | +100 | ℃ | |
| ESD防护值1 | – | 1000 | V | 差分信号引脚除外 | |
| ESD防护值2 | – | 500 | V | 差分信号引脚 |
4.2 推荐工作条件
| 描述 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 工作电压 | Vcc | 3.14 | 3.30 | 3.46 | V | |
| 工作温度 | Tcase | -40 | 25 | 85 | ℃ | 高温壳温 |
| 电源纹波 | Vpp | -20 | 20 | mV | 峰峰值 | |
| 差分输入匹配阻抗 | Zin | 100 | Ω | |||
| 差分输出匹配阻抗 | Zout | 100 | Ω | |||
| 差分信号输入电压 | Vdiff-in | 300 | 900 | mV | 峰峰值 | |
| 单通道速率 | S | 10.3125 | 25.78125 | Gbps | ||
| 传输距离 | D | 0.5 | 70 | m | OM3 |
4.3 产品光电性能
| 描述 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 功耗 | P | 6.93 | W | |||
| 工作电流 | Icc | 1700 | mA | |||
| 发射光电特性(-40℃~85℃ 25.78125Gbps@PRBS31 Vcc=3.3V) | ||||||
| 平均发射光功率 | Po | -5 | 2 | dBm | ||
| 中心波长 | λ | 840 | 850 | 860 | nm | |
| 消光比 | ER | 3 | dB | |||
| 接收光电特性(-40℃~85℃ 25.78125G/10.3125Gbps@PRBS31 Vcc=3.3V) | ||||||
| 接收灵敏度 | Pin | -9 | dBm | BER≤5E-5 | ||
| 饱和光功率 | Pin(SAT) | 2 | dBm | |||
| 中心波长 | λ | 840 | 850 | 860 | nm | |
| 差分信号输出电压 | Vdiff-out | 200 | 400 | 900 | mV | |
五、接口定义
5.1 电接口定义
出纤方向:
| K | J | H | G | F | E | D | C | B | A | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | Din1N | GND | Din4N | GND | Din7N | GND | Din9N | GND | Din11N | GND |
| 2 | Din1P | GND | Din4P | GND | Din7P | GND | Din9P | GND | Din11P | GND |
| 3 | GND | Din3N | GND | Din6N | GND | Din8N | GND | Din10N | GND | Din12N |
| 4 | GND | Din3P | GND | Din6P | GND | Din8P | GND | Din10P | GND | Din12P |
| 5 | Din2N | GND | Din5N | Vcc | Vcc | Vcc | Dout7N | GND | Dout10N | GND |
| 6 | Din2P | GND | Din5P | Vcc | Vcc | Vcc | Dout7P | GND | Dout10P | GND |
| 7 | GND | Dout2N | GND | Dout4N | Vcc | Dout6N | GND | Dout9N | GND | Dout12N |
| 8 | GND | Dout2P | GND | Dout4P | Vcc | Dout6P | GND | Dout9P | GND | Dout12P |
| 9 | Dout1N | DNC | Dout3N | GND | Dout5N | FAULT | Dout8P | SDA | Dout11N | DNC |
| 10 | Dout1P | DNC | Dout3P | SD | Dout5P | RESET | Dout8N | SCL | Dout11P | CDR_EN |

图2 电接口引脚定义图(从模块顶部向下看)
表5 引脚定义
| 引脚序号 | 名称 | 类型 | 引脚定义 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| K2、K6、J4、H2、H6、G4、F2、E4、D2、C4、B2、A4 | Din[1:12]P | CML | 发送通道[1:12]电信号正相输入端 | |
| K1、K5、J3、H1、H5、G3、F1、E3、D1、C3、B1、A3 | Din[1:12]N | CML | 发送通道[1:12]电信号反相输入端 | |
| G5、F5、E5、G6、F6、E6、F7、F8 | VCC | 电源 | 3.3V电源 | |
| J1、G1、E1、C1、A1、J2、G2、E2、C2、A2、K3、H3、F3、D3、B3、K4、H4、F4、D4、B4、J5、C5、A5、J6、C6、A6、K7、H7、D7、B7、K8、H8、D8、B8、G9 | GND | 电源 | 公共地 | |
| E9 | FAULT | LVTTL | 低电平表示有故障 | |
| E10 | RESET | LVTTL | 发送复位(内部上拉)。逻辑低:复位模块;逻辑高:正常模式 | |
| K10、J8、H10、G8、F10、E8、D6、D9、C8、B6、B10、A8 | Dout[1:12]P | CML | 接收通道[1:12]电信号正相输出端 | |
| K9、J7、H9、G7、F9、E7、D5、D10、C7、B5、B9、A7 | Dout[1:12]N | CML | 接收通道[1:12]电信号反相输出端 | |
| G10 | SD | LVTTL | 光功率检测,高:所有通道接收光功率正常(高于阈值),低:至少一通道接收光功率不足(低于阈值) | |
| C10 | SCL | CMOS | 模块内默认上拉10K,I2C时钟接口(可以悬空不用,模块可自动运行) | |
| C9 | SDA | CMOS | 模块内默认上拉10K,I2C数据接口(可以悬空不用,模块可自动运行) | |
| A10 | CDR_EN | LVTTL | CDR使能引脚,高:CDR默认开启,模块工作速率为25.78125Gbps;低:CDR关闭,模块可降速至10.3125Gbps使用。内部已上拉10KΩ | |
| J9、J10、A9 | DNC | – | 请保持悬空,禁止连接 |
5.2 光接口定义
面向模块看光接口:

图3 光接口定义图(面向MT端面,Key键朝上)
六、设计结构尺寸
6.1 结构设计尺寸
单位:mm,未标注公差±0.3mm

图4 模块外形尺寸图
6.2 PCB Layout设计推荐尺寸

图5 推荐PCB Layout设计尺寸图
6.2.1 用户主板PCB设计基础要求
| 内容 | 具体要求 | 备注 |
|---|---|---|
| 阻抗要求 | 差分100±10Ω | |
| 过孔要求 | 压接式焊盘中的过孔,要求树脂塞孔,电镀填平 | |
| 焊盘平整度要求 | 压接式焊盘,要求保证焊盘平整,焊盘最大共面度(平整度)最大为0.05mm | |
| 阻焊要求 | 压接焊盘整个焊盘区域除焊点外,其余地方需敷阻焊绿油 | |
| 等长要求 | 差分信号线长度尽量等长,差异控制在5mil以内 | |
| PCB板材 | 10G以内产品,推荐选择Middle Low Loss级别材料(0.012≤Df<0.016),例如台耀TU862HF | |
| 10G<产品速率≤15G产品,推荐选择Low Loss级别材料(0.008≤Df<0.012),例如松下M4 | ||
| 15G<产品速率≤25G产品,推荐选择Very Low Loss级别材料(0.004≤Df<0.008),例如松下M6 | ||
| 25G以上产品,选择Ultra Low Loss级别材料(Df<0.004),例如Rogers3003 |
6.2.2 布局布线要求
目前大多数采集终端是FPGA系统,受板材、FPGA型号、光模块型号、线材等各方面的影响,建议FPGA与光模块的距离尽可能靠近。高速电信号在PCB板上输出有衰减,距离越远,衰减越大。建议客户主板设计完后做电路仿真,以保证设计可靠性,同时差分信号线设计还有如下要求:
- 对于高速差分信号走线,建议走盘中孔设计(差分信号线通孔直径建议设计为8mil/16mil)盘中孔用树脂塞孔后,电镀填平
- 如果不适合设计盘中孔,可用扇出过孔形式出差分对
- 地焊盘和电源焊盘周围,建议铺与管脚相连的铜区,以增强载流能力
- 高速差分线上换层过孔尽量少,如必须换层,请加伴地孔差分过孔,在参考平面尖角处需做平滑处理,并且在非差分信号层做无环设计;如果stub过长,需做背钻
- 差分对之间间距尽可能保证在3W(W:差分线宽度)以上,最小不能小于2W
- 低速信号线,尤其I2C通讯线尽可能远离差分走线,最小间距保证3W
- 差分回流路径完整(相邻参考平面为地平面,并且完整)
- 此部分过孔请树脂塞孔并电镀填平,以便连接器与电路板紧密配合

图7 过孔周边铜箔圆滑处理示意图
七、I2C使用说明
7.1 实施方案
模块数字监控功能通过I2C接口通信,可监控模块电压、温度等信息。
通信方式:标准I2C,通信引脚SDA、SCL参考电接口引脚定义。该模块器件地址不可更改,且模块拥有一套相同的器件地址、寄存器地址。这里提供访问多只模块的I2C操作方案。通过多条I2C总线访问2支及以上数量的模块,或使用I2C开关芯片。

图8 多只模块I2C操作方案
7.2 数字监控功能实现方式
通信地址:0xA0(写)0xA1(读),通信速率:≤100Kbit/s,主机需在程序中检测并等待从机(模块)的时钟延展。即主机等待从机数据时,需等待从机将SCL从low变成high后,才可进行后续操作(具体可参考I2C协议)。
标准读写时序如图所示。这里的Register Address是指具体的操作寄存器地址,参照Memory Map。

图9 标准I2C读时序(单个字节)

图10 标准I2C读时序(多个字节)

图11 标准I2C写时序(单个字节)
7.3 寄存器地址映射表(Memory Map)
| 字节 | 类型 | 说明 |
|---|---|---|
| 0x0D | RW | bit0~bit3: Tx1~Tx4开关。1:关闭,0:开启;bit4~bit7: 保持0 |
| 0x0E | RW | bit0~bit3: Tx5~Tx8开关。1:关闭,0:开启;bit4~bit7: 保持0 |
| 0x0F | RW | bit0~bit3: Tx9~Tx12开关。1:关闭,0:开启;bit4~bit7: 保持0 |
| 0x10 | RW | bit0~bit3: Rx1~Rx4开关。1:关闭,0:开启;bit4~bit7: 保持0 |
| 0x11 | RW | bit0~bit3: Rx5~Rx8开关。1:关闭,0:开启;bit4~bit7: 保持0 |
| 0x12 | RW | bit0~bit3: Rx9~Rx12开关。1:关闭,0:开启;bit4~bit7: 保持0 |
| 0x14~0x15 | RO | 接收通道SD寄存器 |
| 0x1E~0x1F | RO | 模块温度监控量 |
| 0x1A~0x1B | RO | 模块电压监控量 |
| 0x20~0x37 | RO | 发射功率监控参考量 |
| 0x38~0x4F | RO | 接收功率监控量 |
说明:所有数据存储遵循大端模式,即数据高字节存放在地址中。
7.3.1 电压监控寄存器(0x1A~0x1B字节)

图12 电压寄存器
电压寄存器读出值为16位二进制数,需要把二进制数换算为十进制数后按如下关系计算电压,换算关系中Vdac表示换算后的十进制数(无符号)。
换算关系:电压V = Vdac = Vdac MSB(0x1A)×256 + Vdac LSB(0x1B),单位为1mV。其中,Vdac MSB是指高8位地址1A的二进制数换算后的十进制,Vdac LSB是指低8位地址1B的二进制数换算后的十进制。
7.3.2 通道监控寄存器
| 地址(16进制) | 位 | 类型 | 说明 |
|---|---|---|---|
| 0x14 | Bit0~bit3 | RO | 9~12通道SD信息,”1″表示Signal Detect,”0″表示告警 |
| 0x15 | All | RO | 1~8通道SD信息,”1″表示Signal Detect,”0″表示告警 |
接收通道SD寄存器
地址:0x14~0x15(0x14为MSB),无符号数
| SDMSB | SDLSB |
|---|---|
| Res Res Res Res Bit11 Bit10 Bit9 Bit8 | bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 bit1 bit0 |
接收通道SD寄存器中bit0~bit11反映1~12通道的SD信息。当通道输入功率值大于阈值时相应bit为1,否则为0。
7.3.3 模块接收光功率监控寄存器(0x38~0x4F)
| 地址(16进制) | 类型 | 说明 |
|---|---|---|
| 0x38~0x39 | RO | 接收通道1接收监控(大端模式) |
| 0x3A~0x3B | RO | 接收通道2接收监控(大端模式) |
| 0x3C~0x3D | RO | 接收通道3接收监控(大端模式) |
| 0x3E~0x3F | RO | 接收通道4接收监控(大端模式) |
| 0x40~0x41 | RO | 接收通道5接收监控(大端模式) |
| 0x42~0x43 | RO | 接收通道6接收监控(大端模式) |
| 0x44~0x45 | RO | 接收通道7接收监控(大端模式) |
| 0x46~0x47 | RO | 接收通道8接收监控(大端模式) |
| 0x48~0x49 | RO | 接收通道9接收监控(大端模式) |
| 0x4A~0x4B | RO | 接收通道10接收监控(大端模式) |
| 0x4C~0x4D | RO | 接收通道11接收监控(大端模式) |
| 0x4E~0x4F | RO | 接收通道12接收监控(大端模式) |
接收监控寄存器读出值为16位二进制数,需要把二进制数换算为十进制数后按如下关系换算。换算关系中MSB/LSB表示换算后的十进制数(无符号)。
换算关系:接收功率 = MSB×256 + LSB,单位为0.1uW。其中,MSB是指高8位地址的二进制数换算后的十进制,LSB是指低8位地址的二进制数换算后的十进制。
7.3.4 模块发射光功率监控寄存器(0x20~0x37)
| 地址(16进制) | 类型 | 说明 |
|---|---|---|
| 0x20~0x21 | RO | 发射通道1发射监控(大端模式) |
